氮化鎵功率半導體邁入繁榮期 行業領導者脫穎而出

根據弗若斯特沙利文的資料，氮化鎵是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成為功率半導體行業持續變革的核心。氮化鎵功率半導體經歷萌芽期、發展期、商業化期等多個發展階段後，在電動汽車及數據中心、光伏發電站及電網等下游市場發展的驅動下，氮化鎵功率半導體行業規模持續擴大。預計到2028年，其市場規模將達到人民幣 501億元，佔全球功率半導體市佔率提升至10.1%，並佔全球功率半導體分立器件市場的24.9%。

針對氮化鎵半導體產品近年來在不同領域的廣泛應用，英諾賽科作為行業先行者，致力於引領氮化鎵功率半導體行業及生態系統的創新，依靠在核心技術和關鍵工藝方面的前瞻性戰略及突破，一舉奠定了全球領導者的地位。通過與消費電子、汽車、可再生能源等不同領域的知名客戶緊密合作，公司率先拓展氮化鎵產品的應用範圍，推出創新產品，並帶來獨特的價值。

於2023年，英諾賽科實現收入約人民幣5.93億元，佔市場份額的33.7%，按折算氮化鎵分立器件出貨量計，公司於2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市佔率為42.4%。截至2023年12月31日，公司的累計出貨量超過5.0億顆。

技術優勢一馬當先 商業化能力走向成熟

為提高產品的可靠性，有效管理成本，擴大產品組合和多元化應用領域，英诺赛科在研發方面投入了大量資源，推動其技術平台不斷迭代與完善。

據悉，英諾賽科已在中國蘇州建立全球研發中心，將其定位為第三代半導體材料及芯片的領先研發中心。截至2023年12月31日，公司的研發工作已累計獲得213項專利，其中包括173項發明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。於2021 年至2023 年，公司的研發開支合計高達人民幣15.92億元。

基於8英吋硅基氮化鎵技術平台，英諾賽科開發了一系列技術，包括氮化鎵材料技術、8英吋硅基氮化鎵產品設計技術，及8英吋硅基氮化鎵生產工藝技術。在8英吋硅基氮化鎵晶圓技術方面的進步，使公司遙遙領先於競爭對手。憑藉強大的8英吋硅基氮化鎵晶圓生產技術，公司突破了每月10,000片晶圓的生產瓶頸，實現了產業規模的商業化，截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。

出色的量產能力結合先進的製造工藝，已轉化為顯著的先發優勢，助力英諾賽科成為世界上首家在產業規模上商業化8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司。依託成熟的商業化能力，可充分彰顯公司創新能力，並有效地將創新成果推向市場，持續鞏固其在氮化鎵半導體行業的領導地位，實現價值蝶變與驚豔成長。

- 新聞稿有效日期，至2024/07/15為止

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