管理團隊屢創佳績 備受機構投資者青睞

英諾賽科於2017年成立，是一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與製造的高新技術企業，採用IDM全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線。根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，公司於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

以創始人兼董事長Weiwei Luo博士和首席執行官吳金剛博士為首的管理團隊，在先進材料和半導體技術領域擁有豐富的經驗，帶領英諾賽科在業內率先推出了氮化鎵功率半導體產品，並以先進的IDM模式大獲商業成功。同時，公司的研發團隊不斷創新，截至2024年12月10日在全球擁有406項專利及387項專利申請的廣泛組合，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域，創造了卓越的價值。

自2018年4月至2024年4月，英諾賽科成功完成A輪至E輪共五輪融資，累計融資總額達人民幣62.34億元。公司首次公開發售前投資者陣容十分龐大，引入了招銀成長、吳江產投、SK China、華業天成、鈦信、武漢光谷芯、珠海港灣、中天匯富等近五十家知名機構作為戰略股東，為其快速發展提供雄厚的資金及資源支持。

除了星光熠熠的Pre-IPO投資者外，是次IPO，英諾賽科還引入STHK、江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備及東方創聯作為基石投資者。四名基石投資者擬認購總金額為1.00億美元的全球發售股份，認購比例超過一半，足見全球半導體巨頭、國資長線基金與專業投資機構對公司業務前景和投資價值的高度認可。

把握機遇形成規模經濟 高成長促估值提升

自成立以來，英諾賽科持續專注於建立量產能力及投資核心技術的研發，為在蓬勃發展的氮化鎵功率半導體產業中把握機遇打下基礎。公司於2022年4月開始批量生產，隨著產能擴大、產品供應提升以及核心技術的成熟，開始逐漸受惠於規模經濟，收入獲得大幅增長，市場地位亦不斷提高。

於2021年、2022年及2023年，英諾賽科分別錄得收入約人民幣6,821.5萬元、1.36億元及5.93億元，複合年增長率為194.8%。於2024年上半年，收入由2023年同期的人民幣3.08億元，進一步增長25.2%至人民幣3.86億元，成長勢頭維持強勁。

在半導體產業，採用IDM模式的公司通常會經歷一個高投入的產業週期，即在產能增加的同時，會產生大額前期資本支出及研發開支，是以英諾賽科錄得暫時的淨虧損，这也是其發展過程中的必經階段。而隨著持續收入增長、規模經濟增長及提升經營效率，預期在不久的將來，公司有望改善財務表現及實現盈利。

當前，氮化鎵功率半導體行業已逐步進入持續向上爬坡的繁榮期，產業爆發無疑將催生新的投資熱土。

- 新聞稿有效日期，至2025/02/01為止

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