作為最新一代半導體材料之一，氮化鎵技術及其工藝複雜，具備較高的進入壁壘。英諾賽科憑藉在氮化鎵核心技術和關鍵工藝上的突破，在行業內建立了穩固的先發優勢。公司是全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

依託成熟的技術以及全面的產品組合，英諾賽科持續擴大其產品應用領域。目前，公司的產品已廣泛應用於消費電子產品、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等領域。同時，公司還通過採取IDM模式的經營模式，持續鞏固其領先優勢。通過將設計、製造、封裝及測試集於一體，英諾賽科實現對產品質量的有效把控，滿足客戶的大宗交付需求。

此外，英諾賽科通過內部協同設計、製造等環節，實現技術上的閉環，讓公司能夠快速迭代其設計和工藝技術，優化產品性能和生產效率，並實現具成本效益的擴張。截至2024年6月30日，公司產能達到每月12,500片晶圓，與6英吋硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科每晶圓的晶粒產出數提升80%，單顆芯片成本降低30%。

行業景氣度高企前景可期 獲眾多資本加持

從行業前景看，隨著全球對高效能功率半導體產品需求的增加，氮化鎵半導體產品近年來在不同領域被廣泛應用，並展現出巨大的增長潛力。根據弗若斯特沙利文的資料，2023年至2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規模將由人民幣18億元，增至人民幣501億元，佔全球功率半導體市場的份額也將由0.5%提升至10.1%。

可以說，氮化鎵功率半導體市場正處於爆發的前夕。英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，已經為抓住行業的發展機遇做好準備。在領先技術優勢和經營模式的支持下，公司未來業績潛力有望持續釋放。

值得一提的是，英諾賽科的發展潛力也獲得了產業資本、政府機構以及國內外知名投資機構的看好。據了解，公司股東包括招銀國際、韓企SK集團、Arm、寧德時代等知名投資方。本次IPO，英諾賽科還吸引了意法半導體、江蘇國企混改基金、東方創聯、蘇州高端裝備4名基石投資者合計認購1億美元發售股份。其中，意法半導體為全球知名半導體企業，在半導體領域擁有深厚技術底蘊以及市場渠道，可與公司形成協同效應，助力公司業務發展。

回到資本市場的角度，中長期看，氮化鎵功率半導體市場將快速增長，行業景氣度有望持續升溫。英諾賽科作為該領域的的領軍企業，公司競爭優勢突出。隨著其藉助上市進一步擴大產能、豐富產品組合、夯實技術壁壘，預計將在未來的行業發展浪潮中獲取更多的市場份額，不斷為高質量發展蓄力賦能。

- 新聞稿有效日期，至2025/02/01為止

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